前两日，多家媒体报道称，湖南大学的研究团队成功研制出了超短沟道的垂直场效应晶体管（VFET），这项成就的突破意义重大。据研究团队的专家介绍，该晶体管技术可以将晶体管做到只有3nm大小，沟道长度更是只有0.65nm。值得一提的是，在芯片领域，一般沟道长度值得就是芯片工艺的制程，那也就是0.65nm的沟道长度就相当于0.65nm的芯片工艺，所以这是代表着湖南大学已经研制出了1nm以下的芯片了吗？

　　此外，还有消息称，这项技术不需要光刻机支持就可以实现，这是真的吗？众所周知，光刻机是生产芯片的关键设备，像7nm、5nm这样的先进芯片的生产还得依赖由荷兰光刻机巨头ASML打造的EUV光刻机才能实现，而我国正是因为缺乏先进的光刻机设备才一直没有办法突破国产芯，要知道目前我国国产光刻机的精度仅为90nm，上海微电子虽然已经成功研制出了生产28nm工艺的光刻机，但距离交付还需要一段时间。

　　如今湖南大学突然传来其已经成功研制出不用完全依靠光刻机就能生产0.65nm晶体管的技术自然让人感到震惊，以至于有不少人都在质疑这项研究成功是否真实存在。

　　据了解，湖南大学研发的这种垂直场效应晶体管之所以不用完全依靠高精度的光刻机就能生产，主要是因为它的排列方式不同，而设计这样的技术也是考虑到目前国内还没有一台先进的EUV光刻机。

　　晶体管垂直排列的优势是比较明显的，专家介绍这种纵向排列的结构具有天然的短沟道特性，半导体沟道位于底电极与顶部电极之间，沟道长度仅位于取决于材料厚度，而这也就是为什么湖南大学研究团队能研制出沟道长度为0.65nm的晶体管的原因。

　　目前，这项研究报告已经在湖南大学的官网上公布，并且也发布在了国际顶尖杂志《NatureElectronics》上，这标志着该成果得到了国际的认可。不过需要注意的是，目前这项成就还无法实现量产，这也就是说该成果要真正实现批量生产还需要时间的考验，至于还需要多久目前尚且无法做出判断，基于目前我国在半导体领域的发展估计要等挺久才能实现。

　　总的来说，这项成就是值得肯定的，它成功打开了我国半导体研发的新大门，相信随着相关团队的不断研发，我国在这方面还将取得更大的突破。